Pekin Üniversitesi, Silikonsuz Yeni Bir Transistör Geliştirdi
Pekin Üniversitesi’nde görevli bilim insanları, silikon kullanmadan çalışan yeni bir transistör geliştirdiklerini duyurdu. Bu yeni gelişme, işlemci tasarımında devrim yaratabilir.
Silikon Yerine Yeni Materyal
Araştırmacıların geliştirdiği yeni transistör, bismuth oxyselenide adlı iki boyutlu bir materyal üzerine inşa edilmiş. Yeni mimari, “gate-all-around” (GAAFET) olarak bilinen bir yapı kullanıyor. Bu yapı sayesinde, transistörün “gate” bölgesi kanalın tamamını sarıyor.
Günümüzün en gelişmiş FinFET transistörlerinde gate sadece kanalın üç tarafını çevreleyebiliyor. GAAFET yapısı enerji kaybını azaltırken daha iyi akım kontrolü sağlıyor.
Performansta Büyük Sıçrama
Saygın bilim dergisi Nature Materials’da yayımlanan makaleye göre, geliştirilen 2D GAAFET transistörler, Intel’in en yeni 3nm çiplerinden yüzde 40 daha hızlı çalışıyor ve yüzde 10 daha az enerji tüketiyor. Bu durum, TSMC ve Samsung’un güncel işlemcilerine kıyasla daha iyi performans sunabileceğini gösteriyor.
Araştırmacılar ayrıca bu transistörleri kullanarak küçük mantık devreleri de oluşturduklarını açıkladılar. Yani teknoloji sadece teorik bir oluşum değil; aynı zamanda pratik uygulamalara da sahip. Pekin Üniversitesi ise bu konuda iddialı: “Bu, şimdiye kadar yapılmış en hızlı ve en verimli transistör.”
Bu iddialar, Intel ve TSMC’nin kullandığı ticari test koşullarıyla yapılan ölçümler tarafından da desteklenmektedir.
Silikon Devri Sona mı Eriyor?
Transistör teknolojisi uzun yıllar boyunca silikon üzerine dayanmaktaydı. Ancak boyutlar küçüldükçe ve performans sınırlarına yaklaşıldıkça, mühendisler alternatif malzemelere yöneldi. İşte Pekin Üniversitesi’nin geliştirdiği silikonsuz 2D GAAFET transistör, bu arayışta önemli bir dönüm noktası olabilir.
Yine de bu teknolojinin ticarileşmesi için zaman gerekmektedir. Seri üretim, istikrar, maliyet ve uyumluluk gibi birçok zorluk aşılmalıdır. Ancak uzmanlar, bu gelişmenin silikon sonrası döneme geçişi hızlandırabileceğine inanmaktadır.
